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仕 様
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| ■ ワイドギャップ半導体（GaN、SiCなど）のオーミック電極アロイ、アニールに好適 |
| ■ 小型特殊高温炉使用 |
| ■ 常用温度帯 |
： 800〜1200℃（MAX1300℃） |
| ■ 面内温度分布 |
： 4インチウエハ面内±3℃（1200℃時） |
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(0.5mm厚 カーボントレー上) |
| ■ 対応基板サイズ |
： φ3〜6インチ |
| ■ ウェーハ搬送 |
： 枚葉式ロボット搬送 （25枚カセット対応） |
| ■ 処理雰囲気 |
： 不活性ガス中 |
| ■ 標準装置サイズ |
： 1,000（Ｗ）×1,750（Ｄ）×1,450（Ｈ） |
| ■ 装置重量 |
： 約950ｋｇ |
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仕 様
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| ■ 各種のアロイ、アニールなどに好適 |
| ■ 小型特殊高温炉使用 |
| ■ 常用温度帯 |
： 500〜800℃（MAX850℃） |
| ■ 面内温度分布 |
： 4インチウエーハ面内±3℃（800℃時） |
| ■ 対応基板サイズ |
： φ３〜６インチ |
| ■ ウェーハ搬送 |
： 枚葉式ロボット搬送 （25枚カセット対応） |
| ■ 処理雰囲気 |
： 不活性ガス、または減圧中
（Ｏ２またはＨ２雰囲気はオプション） |
| ■ 標準装置サイズ |
： 960(W)×1,650(D)×1,450(H)（Ｈ） |
| ■ 装置重量 |
： 約850ｋｇ |
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仕 様
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| ■ 汎用化合物半導体（ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系）のオーミック電極アロイ、アニールなどに好適 |
| ■ 小型特殊高温炉使用 |
| ■ 常用温度帯 |
： 300〜500℃（MAX550℃） |
| ■ 面内温度分布 |
： 4インチウエーハ面内±2℃（450℃時） |
| ■ 対応基板サイズ |
： φ３〜６インチ |
| ■ ウェーハ搬送 |
： 枚葉式ロボット搬送 （25枚カセット対応） |
| ■ 処理雰囲気 |
： 不活性ガス中（Ｈ２雰囲気はオプション） |
| ■ 標準装置サイズ |
： 900(W)×1,210(D)×1,450(H) |
| ■ 装置重量 |
： 約750ｋｇ |
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